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气体检测仪在半导体行业中的应用

本站 2017-04-24 14:01:11

气体检测仪在半导体行业的应用

半导体工业常用气体

甲硅烷(SiH4):有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等,还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

锗烷(GeH4):剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料,锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积,形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。

磷化氢(PH3):剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂,磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。

砷化氢(AsH3):剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

氢化锑(SBH3):剧毒。用于制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。

乙硼烷(B2H6):剧毒。窒息臭味的气体,是一种气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂,它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。

三氟化氮(NF3):毒性较强。主要用于化学气相淀积装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合,用作等离子工艺的蚀刻气体,例如,NF3、NF3/Ar用于硅化物MoSi2的蚀刻。

三氟化磷(PF3):毒性极强。作为气体磷离子注入源。